650 V 和 1,200 V 第三代碳化矽 MOSFET
Toshiba 的 SiC 是專為高效率電源供應器應用而設計的技術
Toshiba 的第三代 650 V 和 1,200 V 碳化矽 (SiC) MOSFET 是專為高功率工業應用而設計,例如 400 V 和 800 VAC 輸入的 AC/DC 電源供應器、光電 (PV) 逆變器、不斷電系統 (UPS) 的雙向 DC/DC 轉換器。
由於 SiC 技術可讓元件提供更高的耐電壓能力、更快的切換速度和更低的導通電阻,因此這些 MOSFET 有助於降低功耗並提高功率密度。 Toshiba 的第三代晶片設計提供增強的可靠度。650 V 產品具有 4,850 pF (典型值) 的輸入電容量 (CISS)、128 nC (典型值) 的低閘極輸入電荷 (Qg)、僅 15mΩ (典型值) 的汲極到源極導通電阻 (RDS(ON))。
而且,1200 V 產品提供類似規格,有 6000 pF (典型值) 的輸入電容量 (CISS)、158 nC (典型值) 的閘極輸入電荷 (Qg)、15 mΩ (典型值) 的汲極到源極導通電阻 (RDS(ON))。
除表面黏著式 TOLL 和 DFN8x8 封裝外,650 V 和 1,200 V SiC MOSFET 均提供業界標準的三引線 TO-247 封裝。
- 低 RON、RONQgd
- 從 Toshiba 第二代到第三代的 RON*Qgd 降低了 80%
- 具有競爭力的 RON*Qgd 和切換效能
- 低 VF
- 內建肖特基能障二極體技術,提供超低的 VF
- 更新單元設計以實現高可靠度
- TO-247-4L、TOLL 和 DFN8x8 封裝中提供 Kelvin 式連接
- 寬的 VGSS 額定值有助於提高設計可靠度並簡化設計
- VGSS:-10 V ~ 25 V (推薦值:18 V)
- 低電阻和更高的閘極閾值電壓 (Vth) 有助於防止意外導通等故障情況
- 表面黏著式和通孔式封裝選項
- 通孔式 TO-247 (三引線) 和 TO-247-4L (四引線)
- TOLL 和 DFN8x8
- 工業級馬達驅動器
- 電池充電器
- AC/DC 和 DC/DC 轉換器
- 功率因數校正電路
- 儲能系統
- 太陽能
- 不斷電系統
650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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![]() | ![]() | TW045N120C,S1F | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO | 71 - 即時供貨 | $232.64 | 查看詳情 |
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![]() | ![]() | TW140Z120C,S1F | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14 | 65 - 即時供貨 | $105.37 | 查看詳情 |
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![]() | ![]() | TW048Z65C,S1F | G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48 | 233 - 即時供貨 | $151.72 | 查看詳情 |