650 V 和 1,200 V 第三代碳化矽 MOSFET

Toshiba 的 SiC 是專為高效率電源供應器應用而設計的技術

Toshiba 的 650V 和 1200V 第三代碳化矽 MOSFET 的圖片Toshiba 的第三代 650 V 和 1,200 V 碳化矽 (SiC) MOSFET 是專為高功率工業應用而設計,例如 400 V 和 800 VAC 輸入的 AC/DC 電源供應器、光電 (PV) 逆變器、不斷電系統 (UPS) 的雙向 DC/DC 轉換器。

由於 SiC 技術可讓元件提供更高的耐電壓能力、更快的切換速度和更低的導通電阻,因此這些 MOSFET 有助於降低功耗並提高功率密度。 Toshiba 的第三代晶片設計提供增強的可靠度。650 V 產品具有 4,850 pF (典型值) 的輸入電容量 (CISS)、128 nC (典型值) 的低閘極輸入電荷 (Qg)、僅 15mΩ (典型值) 的汲極到源極導通電阻 (RDS(ON))。

而且,1200 V 產品提供類似規格,有 6000 pF (典型值) 的輸入電容量 (CISS)、158 nC (典型值) 的閘極輸入電荷 (Qg)、15 mΩ (典型值) 的汲極到源極導通電阻 (RDS(ON))。

除表面黏著式 TOLL 和 DFN8x8 封裝外,650 V 和 1,200 V SiC MOSFET 均提供業界標準的三引線 TO-247 封裝。

特點
  • 低 RON、RONQgd
    • 從 Toshiba 第二代到第三代的 RON*Qgd 降低了 80%
    • 具有競爭力的 RON*Qgd 和切換效能
  • 低 VF
    • 內建肖特基能障二極體技術,提供超低的 VF
    • 更新單元設計以實現高可靠度
  • TO-247-4L、TOLL 和 DFN8x8 封裝中提供 Kelvin 式連接
  • 寬的 VGSS 額定值有助於提高設計可靠度並簡化設計
  • VGSS:-10 V ~ 25 V (推薦值:18 V)
  • 低電阻和更高的閘極閾值電壓 (Vth) 有助於防止意外導通等故障情況
  • 表面黏著式和通孔式封裝選項
    • 通孔式 TO-247 (三引線) 和 TO-247-4L (四引線)
    • TOLL 和 DFN8x8
應用
  • 工業級馬達驅動器
  • 電池充電器
  • AC/DC 和 DC/DC 轉換器
  • 功率因數校正電路
  • 儲能系統
  • 太陽能
  • 不斷電系統

650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs

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發佈日期: 2022-07-26
更新日期: 2025-08-06