Name: TW015N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015N120CS1F-ND
Price: 636.99 HKD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TW015N120C,S1F
DigiKey 零件編號	264-TW015N120CS1F-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TW015N120C,S1F
說明	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) 通孔式 TO-247
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TW015N120C,S1F 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包裝	管裝
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	1200 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	100 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	20mOhm @ 50A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id	5V @ 11.7mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	158 nC @ 18 V
Vgs (最大值)	+25V、-10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	6000 pF @ 800 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	431W (Tc)
工作溫度	175°C
等級	-
資格	-
安裝類型	通孔式
供應商元件封裝	TO-247
封裝／外殼	TO-247-3