TK125N60Z1,S1F
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TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW107N65C,S1F

DigiKey 零件編號
264-TW107N65CS1F-ND
製造商
製造商零件編號
TW107N65C,S1F
說明
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
製造商的標準前置時間
24 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 20 A (Tc) 76W (Tc) 通孔式 TO-247
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
-
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
145mOhm @ 10A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 1.2mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (最大值)
+25V、-10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
76W (Tc)
工作溫度
175°C
等級
-
資格
-
安裝類型
通孔式
供應商元件封裝
TO-247
封裝/外殼
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管裝
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