TW070J120B SiC MOSFET

Toshiba 的 TW070J120B 碳化矽 MOSFET 具有低 (70mΩ) R_DS(ON) 的特點，採用 TO-3P(N) 封裝。

為降低工業和其他電氣設備的功耗時，功率元件是非常重要的組件。SiC 被認為是下一世代功率元件的材料，因為它實現了比矽更高的電壓和更低的損耗。SiC 功率元件有望用於電源密集型應用，包括光電電源系統和工業設備的電源管理系統。

Toshiba 創建了一種結構，該結構通過將 SBD 與電池內部的 PN 二極體平行放置來防止 PN 二極體通電。電流流經嵌入式 SBD，因為其導通狀態電壓低於 PN 二極體，從而抑制了導通電阻的變化和 MOSFET 可靠度的降低。

帶有嵌入式 SBD 的 MOSFET 已在實際使用中，但僅在 3.3 kV 左右的高壓下。通常，嵌入式 SBD 會導致導通電阻上升到只有高壓產品才能承受的位準。Toshiba 調整了各種元件參數，發現 MOSFET 中 SBD 面積比是抑制導通電阻增加的關鍵。通過優化 SBD 比率，Toshiba 創建了一款高度可靠的 1.2 kV 級 SiC MOSFET。