ROHM Semiconductor

SiC 功率 MOSFET

ROHM 的 SiC MOSFET 具有低導通電阻和低切換損耗

ROHM 的 SiC 功率 MOSFET 圖片ROHM 的碳化矽 (SiC) MOSFET 可提供各種電流額定值和封裝。此產品具有各種導通電阻，電壓 (VDSS) 額定值為 650 V、1,200 V 或 1,700 V。與 IGBT 不同，關斷期間沒有尾電流，因此運作速度更快，並能降低切換損耗。此外，與矽元件不同，其導通電阻即使在高溫下也保持相對恆定，可以最小化傳導損耗。提供具有最大短路耐受時間的第二代平面，以及具有降低的輸入電容量和較低閘極電荷的第三代溝槽式型號。也提供最高可達 1,700 V 的裸晶。

特點
  • 快速切換，低損耗
  • 最高結溫：+175°C
  • 封裝元件額定電壓為 650 V、1,200 V 或 1,700 V
  • 導通電阻為 17 mΩ 至 1,150 mΩ
  • 提供 Spice 模型和熱模型
  • 第二代平面技術，具有更長的短路耐受時間
  • 對本體二極體的使用沒有限制
  • 具有低輸入電容量 (CISS) 和低閘極電荷 (QG) 的第三代溝槽式技術
  • 直流阻斷電壓：650 V、1,200 V、1,700 V
  • 最小的切換損耗
  • 工作溫度範圍：-40°C 至 +175°C
應用
  • 用於感應加熱的變頻器
  • 馬達驅動逆變器
  • 雙向轉換器
  • 太陽能逆變器
  • 電源調節器

3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection

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SiC Power MOSFETs Single

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SiC Power MOSFETs Arrays

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更新日期： 2019-11-01
發佈日期： 2019-04-30

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