ROHM Semiconductor

第四代碳化矽 SiC MOSFET

ROHM 的 SiC MOSFET 具有卓越的崩潰電壓，可承受更高的電壓，實現小巧的系統設計

ROHM 的第四代碳化矽 SCT MOSFET 的圖片ROHM 的第四代 SCT4xxx 系列 MOSFET 是革命性的碳化矽 (SiC) 功率元件，可在要求嚴苛的應用中提供無與倫比的效率和效能。利用 SiC 技術的固有優勢，這些 MOSFET 比傳統矽晶 MOSFET 具有顯著優勢。它們具有卓越的崩潰電壓，可承受更高的電壓，實現小巧的系統設計。它們具有超低導通電阻 (RDS(ON))，可降低導通損耗並提高能效，同時還具有高速切換，可實現更快的切換頻率並最小化切換損耗。這些 MOSFET 具有卓越的熱效能，可在更高的溫度下運作，提高系統可靠性。

特點
  • 崩潰電壓範圍：650 V 至 1700 V
  • 汲極電流範圍：3.7 A 至 70 A
  • 低  RDS(ON)
  • 高速切換
  • 優越的導熱性
  • TO-247 封裝
  • 符合 RoHS 指令
應用
  • 切換式電源供應器
  • 太陽能逆變器
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 電動車 (EV) 充電器
  • 感應加熱設備
  • 馬達驅動
  • 火車
  • 風力發電轉換器
  • 資料中心電源供應器
  • 工業自動化設備
  • 熔接設備
  • 電池充電器
  • 高效能音訊放大器
  • 飛機動力系統

SiC MOSFETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期： 2024-03-19

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