SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | 離散式半導體產品

SCT2H12NYTB
DigiKey 零件編號	SCT2H12NYTBTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - 切帶裝 (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Rohm Semiconductor
製造商零件編號	SCT2H12NYTB
說明	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) 表面黏著式 TO-268
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SCT2H12NYTB 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	1700 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	4 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.5Ohm @ 1.1A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 410µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (最大值)	+22V、-6V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	184 pF @ 800 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	44W (Tc)
工作溫度	175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-268
封裝／外殼	TO-268-3、D3PAK (2 引線 + 接片)、TO-268AA
基礎產品編號	SCT2H12