7 引腳 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 在其離散式碳化矽 (SiC) MOSFET 產品組合中新增採用 TO-263-7L SMD 封裝的元件。由 TO-263-7L 封裝提供的連至 SiC MOSFET 源極端子的開爾文連接優點如下圖所示。主源極電感值 (L_S) 不再由閘極驅動迴路和主電流路徑所共用。如此一來，可以更快地切換元件，從而減少切換損耗。

TO-263-7L SMD 封裝及其寄生電感

導通時，這款三引線元件的切換速度會受到限制，因為源極端子兩端的電感式壓降會降低有效閘極電壓，而導致 di/dt 過渡時間長和明顯的導通損耗。在使用開爾文源極連接到閘極驅動器並採用 SMD 封裝的元件中，此週期較短，因此，可以降低導通損耗。同樣地，由於 TO263-7L 封裝中的寄生電感效應較小，因此在關斷暫態中可以獲得更高的 di/dt 速度，而使關斷損耗低於 TO-247 封裝。

儘管 SiC MOSFET 可以實現非常高的切換速度，以大幅降低功率電子轉換器中的能量損耗，但由於傳統功率半導體封裝的局限性，有時會無法利用元件的全部潛力。ROHM 這次的新封裝旨在消除該限制。