第四代 SiC MOSFET

ROHM 的第四代 SiC MOSFET 支援 15 V 閘源電壓,可提高應用設計自由度

ROHM 的第四代 SiC MOSFET 圖片ROHM 的第四代 SiC MOSFET 在不犧牲短路耐受時間的情況下,提供出色的低導通電阻。特點包括低切換損耗和支援 15 V 閘源電壓,有助於進一步節省元件功耗。

切換損耗/導通電阻比較
    ROHM 的第四代 SiC MOSFET - 圖表圖片
特點
  • 在不犧牲短路耐用性的情況下,實現出色的低導通電阻
  • 藉由大幅降低寄生電容量來最小化切換損耗
  • 支援 15 V 閘源電壓,提高應用設計自由度
應用
  • 太陽能逆變器
  • DC/DC 轉換器
  • 切換式電源供應器
  • 感應加熱
  • 馬達驅動

4th Generation SiC MOSFETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2022-06-01