ROHM Semiconductor

SiC 肖特基能障二極體

ROHM 的超低切換損耗二極體提供各種不同的額定電流和封裝

ROHM SiC 肖特基能障二極體圖片ROHM 提供碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體，具有各種不同的額定電流和封裝。一些特點包括低順向電壓、高峰值電流 (IFSM) 額定值和低漏電。它們在每個封裝中都有一個或兩個二極體，而一些符合 AEC-Q101 標準的型號可供汽車應用。無論溫度如何，反向恢復時間 (trr) 幾乎算是恆定的 (主要是由於元件的電容量) 。它比矽質快速回復二極體 (SiFRD) 的切換損耗低很多。

特點
  • 超快的恢復時間
  • 最高接面溫度：+175°C
  • 封裝後元件的額定電壓為 650 V 或 1200 V
  • 裸晶可高達 1700 V 的電壓
  • 提供 SPICE 模型和熱能模型
  • 連續正向電流額定值為 2A、4A、5A、6A、8A、10A、12A、15A、20A、30A 和 40A
  • 第三代具低 VF 特性的型號
  • 工作溫度範圍：-40°C 至 +175°C
應用
  • 功率因數校正電路
  • 二級整流器
  • 汽車電子

SiC Diodes

圖片製造商零件編號說明電壓 - DC 逆向 (Vr) (最大值)現有數量價格查看詳情
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SiC Transistors

圖片製造商零件編號說明FET 特點現有數量價格查看詳情
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Diodes - Rectifiers - Single

圖片製造商零件編號說明電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If速度逆向復原時間 (trr)現有數量價格查看詳情
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Diodes - Rectifiers - Arrays

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更新日期： 2020-04-22
發佈日期： 2019-04-30

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