TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化鎵 (GaN) 場效電晶體 (FET)

Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 是第三代 650 V GaN FET。此系列產品達到更低 EMI、提高閘極雜訊耐受性，以及更高的餘裕電路應用。50 mΩ TP65H050WS 和 35 mΩ TP65H035WS 提供標準 TO-247 封裝。

MOSFET 經過設計和修改，能讓第三代元件提供更高的閾值電壓 (雜訊耐受性)，從 2.1 V (第二代) 到 4 V，因此無需負閘極驅動。閘極可靠性由第二代提升約 11%，至高達 ±20 V 最大值。這能達到更安靜的切換，且此平台能在更高電流位準，以簡易的外接電路提升效能。

Seasonic Electronics Company 的 1600T 是 1600 W、無橋圖騰柱平台，採用這些高電壓 GaN FET，能帶來 99% 功率因數校正 (PFC) 效率，適用於電池充電器 (電動摩托車、工業等) 、PC 電源、伺服器、電玩市場。使用這些 FET 搭配矽平台 1600T 的優勢包括 2% 更高的效率，以及 20% 更高的功率密度。

此 1600T 平台採用 Transphorm 的 TP65H035WS，能在硬和軟切換電路中達到更高的效率，並且在設計電源系統產品時，為使用者提供選項。TP65H035WS 配對常用的閘極驅動器，可簡化設計。