Image of Transphorm's GaN FET

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies

Transphorm

This presentation will cover an overview of GaN versus silicon carbide and how GaN compares with silicon carbide in a DC to DC hard switched synchronous boost converter. In addition, it will provide a customer example using a bridgeless totem-pole PFC and it will show how to increase performance by reducing the high current path DC resistance.

Related Parts

圖片製造商零件編號說明FET 特點現有數量價格查看詳情
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULETPD3215MMOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE-0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB900 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFNTPH3202LDGANFET N-CH 600V 9A 4PQFN600 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 600V 9A 3PQFNTPH3202LSGANFET N-CH 600V 9A 3PQFN600 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTPH3202PDGANFET N-CH 600V 9A TO220AB600 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTPH3202PSGANFET N-CH 600V 9A TO220AB600 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3TPH3205WSBGANFET N-CH 650V 36A TO247-3650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3TPH3205WSBQAGANFET N-CH 650V 35A TO247-3650 V0 - 即時供貨$114.86查看詳情
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LDBGANFET N-CH 650V 16A PQFN650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LDGBGANFET N-CH 650V 16A PQFN650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTPH3206LSBGANFET N-CH 650V 16A PQFN650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB600 V16 - 即時供貨$92.46查看詳情
GANFET N-CH 650V 16A TO220ABTPH3206PSBGANFET N-CH 650V 16A TO220AB650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3TPH3207WSGANFET N-CH 650V 50A TO247-3650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFNTPH3208LDGANFET N-CH 650V 20A 4PQFN650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN650 V9 - 即時供貨$96.40查看詳情
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LSGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LSGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 20A TO220ABTPH3208PDGANFET N-CH 650V 20A TO220AB650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
GANFET N-CH 650V 20A TO220ABTPH3208PSGANFET N-CH 650V 20A TO220AB650 V0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
PTM Published on: 2018-04-11

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

發佈日期：2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

發佈日期：2023-07-21

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems
Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

發佈日期：2023-07-21

Related Product Highlight

隔離式閘極驅動器和高電壓 GaN FET 公版設計 Skyworks Solutions 和 Transphorm 合作推出公版設計，簡化高電壓 GaN FET 的評估作業。
設計資源 探討 Transphorm 為了輔助 GaN 應用設計提供的一系列工具與資源
TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化鎵 (GaN) 場效電晶體 (FET) Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 第三代 GaN FET，具有更高的雜訊耐受性和提升的閘極可靠度，因此能達到更寧靜的切換。

Related Articles and Blogs

寬能隙半導體提高資料中心的效率 資料中心有極高能源需求，需要能減少功率損耗、提高效率和強化熱控制的電源解決方案。
寬能隙半導體正在重塑整個運輸產業的面貌 電動車與油電混合車解決方案正讓整個運輸產業經歷劇烈轉型，並使大眾運輸更加環保。
DigiKey 提供的電源 GaN 產品和資源 GaN 正逐漸進入電源設計領域。本篇部落格提供一些背景資訊，並介紹 DigiKey 目前提供的相關 GaN 產品和資源。