TP65H035WS 疊接氮化鎵 (GaN) FET

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            TP65H035WS 疊接氮化鎵 (GaN) FET
  
                    Transphorm 的 TP65H035WS 疊接 GaN FET 採用 TO-247 提供優異的可靠性和效能

Transphorm 的 TP65H035WS 疊接 GaN FET 圖片 Transphorm 的 TP65H035WS 是 650 V、35 mΩ GaN FET 常關元件。此元件結合先進的高電壓 GaN HEMT 和低電壓矽晶 MOSFET 技術，提供優異的可靠性和效能。

Transphorm 的 GaN 特點透過更低的閘極電荷、更低的交叉損耗，以及更小的逆向復原電荷，效率超越矽晶。

特點
符合 JEDEC 認證 GaN 技術動態 RDS_(ON)eff 生產測試超低 Q_RR 降低的交叉損耗封裝符合 RoHS 指令且不含鹵素		耐用的設計，以下可證：固有的使用壽命測試寬廣的閘極安全餘裕暫態過壓能力
應用
數據通訊多種工業		PV 逆變器伺服馬達

	圖片	製造商零件編號	說明	技術	汲極至源極電壓 (Vdss)	現有數量	價格	查看詳情
		TP65H035WS	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	疊接式氮化鎵 FET (GaNFET)	650 V	0 - 即時供貨	$181.68	查看詳情

發佈日期： 2018-08-08

TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化鎵 (GaN) 場效電晶體 (FET) Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 第三代 GaN FET，具有更高的雜訊耐受性和提升的閘極可靠度，因此能達到更寧靜的切換。

特點
符合 JEDEC 認證 GaN 技術動態 RDS_(ON)eff 生產測試超低 Q_RR 降低的交叉損耗封裝符合 RoHS 指令且不含鹵素		耐用的設計，以下可證：固有的使用壽命測試寬廣的閘極安全餘裕暫態過壓能力
應用
數據通訊多種工業		PV 逆變器伺服馬達

Transphorm 的 TP65H035WS 疊接 GaN FET 採用 TO-247 提供優異的可靠性和效能