NVBG EliteSiC MOSFET

onsemi 的 MOSFET 非常適合高功率 DC/DC 應用

onsemi NVBG EliteSiC MOSFET 的圖片onsemi 的 EliteSiC MOSFET 採用節省空間的設計,提供閃電般的快速切換和超靜音電力。EliteSiC 運作平穩,可維持訊號純淨、環境安靜,同時提供驚人的速度和無與倫比的可靠性。

低導通電阻和小巧的覆蓋區縮小了電容量和閘極電荷,以在小型封裝中提供強大的功能。EliteSiC 充分利用每一滴電力,能最大化效率,並減少營運成本和能源浪費。

特點
  • 符合 AEC-Q101 標準
  • 額定電壓:650 V 至 1,700 V
  • 高速切換
  • 低電容量
  • 100% 通過 UIL 測試
  • 符合 RoHS 指令
應用
  • 高功率 DC/DC 應用
  • 逆變器

NVBG EliteSiC MOSFETs

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SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7LNVBG1000N170M1SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
發佈日期: 2024-02-16