onsemi 寬能隙

高效率智慧型電源解決方案

onsemi 以獲得專利的端子結構為惡劣的環境條件提供卓越的穩健性，協助他們的客戶建立完整的 WBG 生態系統。廣泛的電源組件使客戶可以選擇最適合每個設計的尺寸、成本和效率限制的電源拓撲。新的 1200 V EliteSiC 二極體系列最大限度地降低了導通和切換損耗，而 1200 V M3S MOSFET 在硬切換應用中可將功率損耗降低 20%。我們的全 EliteSiC 和混合 EliteSiC 模組選項經過優化，可通過易於安裝的封裝實現卓越的性能，以符合業界標準的引腳配置。從內部製造到用於模擬的實體元件模型，onsemi 能確保所有 碳化矽 (SiC) 元件 (包括離散元件和模組) 的可靠度。

碳化矽 (SiC) 技術優勢

  • 與矽元件相比，EliteSiC 元件的介電崩潰場強度高 10 倍，電子飽和速度高 2 倍，能隙高 3 倍，熱導率高 3 倍。

 

高度可靠

  • onsemi EliteSiC 元件具有獲得專利的端子結構，可在惡劣的環境條件下提供卓越的穩健性
  • H3TRB 測試 (高溫／濕度／偏壓)，85C/85% RH/85% V (960V)

耐用性

  • EliteSiC 二極體的耐用性 - 突波和突崩

穩健性

  • onsemi 肖特基能障 SiC 二極體就漏電狀況而言始終保持同級最佳的表現
  • H3TRB 測試 (高溫／濕度／偏壓)，85C/85% RH/85% V (960V)

 

寬能隙技術

寬能隙技術

 

650 V EliteSiC MOSFET

onsemi 650V EliteSiC MOSFET

碳化矽 (SiC) MOSFET 使用的技術，比起矽產品，可提供更優異的切換效能與更高的可靠度。此外，更具有低導通電阻和小型晶片尺寸，可確保低電容量和閘極電荷。因此，系統優勢包括最高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

特點

  • 低 RDSon
  • 高接面溫度
  • 100% 通過 UIL 測試
  • 符合 RoHS 指令
  • 高速切換和低電容量
  • 額定電壓 650V
  • 提供 AEC-Q101 版本

應用

  • DC-DC 轉換器
  • 升壓逆變器
  • 車用 DC/DC
  • 車用 PFC

最終產品

  • UPS
  • 太陽能
  • 電源供應器
  • 車載充電器
  • 用於 EV/PHEV 的車用 DC/DC 轉換器

650 V EliteSiC MOSFET

製造商零件編號 描述 查看詳情
NTBG015N065SC1 EliteSiC MOSFET, N通道, 650V 查看詳情
NTBG045N065SC1 EliteSiC MOSFET, N通道, 650V 查看詳情
NTH4L015N065SC1 EliteSiC MOSFET, N通道, 650V 查看詳情
NTH4L045N065SC1 EliteSiC MOSFET, N通道, 650V 查看詳情
NTH4L015N065SC1 EliteSiC MOSFET, N通道, 650V 查看詳情

900 V EliteSiC MOSFET

onsemi 900V EliteSiC MOSFET

碳化矽 (SiC) MOSFET 使用的技術，比起矽產品，可提供更優異的切換效能與更高的可靠度。此外，更具有低導通電阻和小型晶片尺寸，可確保低電容量和閘極電荷。因此，系統優勢包括高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

了解詳情

特點

  • 額定電壓 900 V
  • 低導通電阻
  • 小巧的晶片尺寸可確保低的電容量和閘極電荷
  • 高速切換和低電容量
  • 100% 通過 UIL 測試
  • 符合 AEC-Q101 汽車標準

應用

  • PFC
  • OBC
  • 升壓逆變器
  • PV 充電
  • 用於 EV/PHEV 的車用 DC/DC 轉換器
  • 車載充電器
  • 汽車輔助馬達驅動器
  • 網路電源供應器
  • 伺服器電源供應器

900 V EliteSiC MOSFET

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NTBG020N090SC1 EliteSiC MOSFET, N 通道, 900V, 9.8A/112A 查看詳情
NTHL020N090SC1 EliteSiC MOSFET, N 通道, 900V, 118A 查看詳情
NTHL060N090SC1 EliteSiC MOSFET, N 通道, 900V, 46A 查看詳情
NVBG020N090SC1 EliteSiC MOSFET, N 通道, 900V, 9.8A/112A 查看詳情
NVHL020N090SC1 EliteSiC MOSFET, N 通道, 900V, 118A 查看詳情

M3S 1200 V EliteSiC MOSFET

onsemi 1200V EliteSiC MOSFET

1200 V M3S 平面碳化矽 (SiC) MOSFET 的新系列針對快速切換應用做了優化。平面技術可在負閘極電壓驅動下可靠地運作，並可關閉閘極上的尖波。此系列在使用 18 V 閘極驅動時具有最佳效能，但也適用於 15 V 閘極驅動。

了解詳情

特點

  • 具有低共源電感值的 TO247-4LD 封裝
  • 15V 至 18V 閘極驅動
  • 新 M3S 技術：22mohm RDS(ON)，具有低 EON 和 EOFF 損耗
  • 通過 100% 突崩測試

優點

  • 減少 EON 損耗
  • 18 V 可獲得最佳效能；15 V 與 IGBT 驅動電路相容
  • 提高功率密度
  • 提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性

應用

  • AC-DC 轉換
  • DC-AC 轉換
  • DC-DC 轉換

最終產品

  • UPS
  • 電動車充電器
  • 太陽能逆變器
  • 儲能系統

1200 V EliteSiC MOSFET

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NTBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看詳情
NTHL020N120SC1 EliteSICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看詳情
NVHL020N120SC1 EliteSICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看詳情
NTHL080N120SC1 EliteSICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看詳情
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看詳情
NVHL080N120SC1 EliteSICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看詳情

650 V EliteSiC 二極體

650V EliteSiC 二極體

onsemi 的碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術，可提供比矽更出色的切換效能和更高的可靠度。碳化矽無逆向恢復電流，具有不受溫度影響的切換特性、優異的熱效能，因此能用於新一代的功率半導體。系統優點包括高效率、更高的工作頻率、提升功率密度、降低 EMI，並且縮減系統尺寸和成本。

了解詳情

特點

  • 輕鬆進行並聯
  • 高突波電流電容量
  • 最高的接面溫度：+175°C
  • 無逆向恢復／無正向恢復
  • 更高的切換頻率
  • 低順向電壓 (VF)
  • 正溫度係數
  • 通過 AEC-Q101 認證並可提供 PPAP 報告

優點

  • 車用 HEV-EV DC/DC 轉換器
  • 車用 HEV-EV 車載充電器
  • 工業電力
  • PFC
  • 太陽能
  • UPS
  • 熔接

650 V EliteSiC 二極體

製造商零件編號 描述 查看詳情
FFSB0665B EliteSiC, 650V, 6A SBD GEN1.5 查看詳情
FFSB0865B EliteSiC, 650V, 8A SBD GEN1.5 查看詳情
FFSP08120A EliteSiC 二極體肖特基, 1.2KV, 8A 查看詳情
FFSD10120A EliteSiC 二極體肖特基, 1.2KV, 10A 查看詳情
FFSP15120A EliteSiC 二極體肖特基, 1.2KV, 15A 查看詳情
FFSH20120A EliteSiC 二極體肖特基, 1.2KV, 30A 查看詳情
FFSP3065A EliteSiC 二極體肖特基, 650V, 30A 查看詳情
FFSM0665A EliteSiC, 650V, 6A SBD 查看詳情
FFSD1065A EliteSiC, 650V, 10A SBD 查看詳情
FFSB1065B-F085 EliteSiC, 650V, 10A SBD GEN1.5 查看詳情
FFSB2065B-F085 EliteSiC 二極體, 650V 查看詳情
FFSM1265A EliteSiC, 650V, 12A SIC SBD 查看詳情
FFSP08120A EliteSiC, 1200V, 8A SIC SBD 查看詳情
FFSD10120A EliteSiC 二極體肖特基, 1.2KV 查看詳情
FFSD1065B-F085 EliteSiC, 650V, 10A SBD GEN1.5 查看詳情
FFSB3065B-F085 EliteSiC, 650V, 30A SBD GEN1.5 查看詳情
FFSB10120A-F085 EliteSiC, 1200V, 10A 車用 SBD 查看詳情
FFSB20120A-F085 EliteSiC, 1200V, 20A 車用 SBD 查看詳情
FFSP05120A EliteSiC 二極體肖特基, 1.2KV 查看詳情
FFSP20120A EliteSiC 二極體肖特基, 1200V, 20A 查看詳情

1200 V EliteSiC 二極體

1200V EliteSiC 二極體

onsemi 的 1200 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術，可提供比矽更出色的切換效能和更高的可靠度。低的導通電阻與小巧的晶片尺寸可確保低的電容量與閘極電荷。系統優勢包括高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

了解詳情

特點

  • 額定電壓 1200 V
  • 低導通電阻
  • 小巧的晶片尺寸可確保低的電容量和閘極電荷
  • 高速切換和低電容量
  • 100% 通過 UIL 測試
  • 符合 AEC-Q101 汽車標準

應用

  • PFC
  • OBC
  • 升壓逆變器
  • 電動車充電器
  • 用於 EV/PHEV 的車用 DC/DC 轉換器
  • 車載充電器
  • 汽車輔助馬達驅動器
  • 太陽能變頻器
  • 網路電源供應器
  • 伺服器電源供應器

1200 V EliteSiC 二極體

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NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看詳情
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看詳情
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看詳情
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看詳情
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看詳情
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看詳情

1700 V EliteSiC 二極體

1700V EliteSiC 二極體

onsemi 的 1700 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術，可提供比矽更出色的切換效能和更高的可靠度。SiC 無逆向恢復電流，具有不受溫度影響的切換特性、優異的熱效能，因此是新一代的功率半導體。系統優點包括高效率、快的工作頻率、提升功率密度、降低 EMI，並且縮減系統尺寸和成本。

了解詳情

特點

  • 可輕鬆並聯
  • 高突波電流電容量
  • 最高的接面溫度：+175°C
  • 無逆向恢復／無正向恢復
  • 更高的切換頻率
  • 低順向電壓 (VF)
  • 正溫度係數
  • 通過 AEC-Q101 認證並可提供 PPAP 報告

應用

  • 車用 HEV-EV DC-DC 轉換器
  • 車用 HEV-EV 車載充電器
  • 工業電力
  • PFC
  • 太陽能
  • UPS
  • 熔接

1700V EliteSiC 二極體

製造商零件編號 描述 查看詳情
NDSH25170A EliteSiC JBS, 1700V, 25A 查看詳情

碳化矽 (SiC) 驅動器

EliteSiC 驅動器

onsemi 的 NCx51705 低側、單一 6A 高速驅動器設計主要用於驅動 EliteSiC MOSFET 電晶體。為盡可能達到最低的導通損耗，此驅動器能將最大容許的閘極電壓提供給 EliteSiC MOSFET 元件。可在啟動和關閉期間提供高峰值電流，藉此將切換損耗降至最低。為提高可靠度、dv/dt 耐受性及更快的關斷速度，NCx51705 可以利用其板載充電幫浦來產生使用者可選的負電壓軌。對於隔離式應用，NCx51705 亦提供可從外部取用的 5 V 電源軌，用於為數位或高速光隔離器的二次側供電。

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特點

  • 高峰值輸出電流及分流輸出級
  • 延伸的正電壓額定值，最高可達 28 V
  • 使用者可調的內建負充電幫浦 (-3.3 V 至 -8 V)
  • 可取用的 5 V 參考／偏壓電源軌
  • 可調式欠壓鎖定
  • 快速去飽和功能
  • QFN24 封裝 4 mm x 4 mm
  • 允許獨立的開／關調整
  • 導通期間的高效率 EliteSiC MOSFET 運作
  • 快速關斷和強大的 dv/dt 耐受性
  • 最大程度降低隔離式閘極驅動應用中偏壓電源的複雜性
  • 足夠的 VGS 振幅以匹配 EliteSiC 最佳效能
  • 自我保護設計
  • 小型、低寄生電感封裝

應用

  • 高效能變頻器
  • 高功率馬達驅動器
  • 推拉式 PFC
  • 工業與馬達驅動器
  • UPS 和太陽能逆變器
  • 高功率 DC 充電器

碳化矽 (SiC) 驅動器

製造商零件編號 描述 查看詳情
NCP51705MNTXG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN 查看詳情
NCV51705MNTWG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN 查看詳情

隔離式高電流閘極驅動器

隔離式大電流閘極驅動器

來自 onsemi 的閘極驅動器產品組合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 橋 MOSFET 和 EliteSiC MOSFET 反相和非反相驅動器，非常適合切換應用。

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隔離式高電流閘極驅動器

製造商零件編號 描述 查看詳情
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 查看詳情
NCD57001DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 查看詳情
NCV57001DWR2G IC IGBT GATE DRIVER 查看詳情
NCD57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER 查看詳情

NCP51810：用於 GaN 電源開關的高性能 150 V 半橋式閘極驅動器

QFN15-485FN

NCP51810 和 NCP51820 高速閘極驅動器是設計來滿足離線的、半橋式電源拓撲中對驅動增強模式 (e−mode) 和閘極注入電晶體 (GIT) (NCP51820) GaN HEMT 電源開關的嚴格要求。NCP51810 為高側驅動提供短且匹配的傳播延遲以及 −3.5 V 至 +150 V (典型值) 共模電壓範圍，而 NCP51820 則為高側驅動提供短且匹配的傳播延遲以及 −3.5 V 至 +650 V (典型值) 共模電壓範圍。為了充分保護 GaN 功率電晶體的閘極免受過大的電壓壓力，兩個驅動級均採用專用的穩壓器來精確地保持閘極—源極驅動訊號的幅度。NCP51810 和 NCP51820 提供重要的保護功能，例如獨立的欠壓鎖定 (UVLO) 和 IC 熱關斷。

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應用說明

特點

  • 150 V，高側和低側閘極驅動器
  • 最大 50 ns 的快速傳播延遲
  • 最大 50 ns 的快速傳播延遲
  • 所有 SW 和 PGND 參考電路的額定 dV/dt 值為 200 V/ns
  • 分開的流出和流入輸出引腳
  • 帶有獨立 UVLO 的穩壓型 5.2 V 閘極驅動器，用於高側和低側輸出級
  • QFN 4 mm x 4 mm 15 支引腳封裝和優化過的引腳配置

優點

  • 支援 48 V 輸入設計，安全餘量充足
  • 適用於高頻操作
  • 提高的效率並允許並聯
  • 高切換頻率應用的穩健設計
  • 允許控制上升和下降時間以進行 EMI 調整
  • GaN 電源開關的最佳驅動能力並簡化設計
  • 小的 PCB 覆蓋區，降低的寄生電容，適合高頻操作

應用

  • 諧振轉換器
  • 半橋與全橋轉換器
  • 主動的箝位返馳式轉換器
  • 非隔離式降壓轉換器

最終產品

  • 資料中心 48 V 至低電壓的中繼匯流排轉換器
  • 48 V 至 PoL 轉換器

GaN 驅動器

製造商零件編號 描述 查看詳情
NCP51810AMNTWG 高速半橋驅動器 FO 查看詳情