900 V 碳化矽 (EliteSiC) MOSFET

onsemi 的 MOSFET 可提供高效率、更高的功率密度和更小的系統尺寸

onsemi 的 900 V 碳化矽 (SiC) MOSFET 圖片onsemi 的 900 V EliteSiC MOSFET 採用可提供比矽更卓越的開關效能和更高可靠性的技術。此外,低導通電阻和小型晶片尺寸可確保低電容量和閘極電荷。因此,系統優勢包括高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

特點
  • 900 V 額定
  • 低導通電阻
  • 小巧的晶片尺寸可確保低電容量和閘極電荷
 
  • 高速切換和低電容量
  • 100% 通過 UIL 測試
  • 符合 AEC-Q101 汽車標準
應用
  • PFC
  • OBC
  • 升壓逆變器
  • PV 充電
  • 用於 EV/PHEV 的汽車 DC/DC 轉換器
 
  • 車載充電器
  • 汽車輔助馬達驅動器
  • 網路電源供應器
  • 伺服器電源供應器

900 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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發佈日期: 2020-04-14