碳化矽 (EliteSiC) MOSFET

onsemi 的 EliteSiC MOSFET 可提供高效率、更高的功率密度和更小的系統尺寸

onsemi 的碳化矽 (SiC) MOSFET 圖片onsemi 的碳化矽 (EliteSiC) MOSFET 採用可提供比矽更卓越的開關效能和更高可靠性的技術。此外,低導通電阻和小型晶片尺寸可確保低電容量和閘極電荷。因此,系統優勢包括高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

特點
  • 1200 V 額定
  • 在 VGS 為 20 V、ID 為 20 A 時,最大 RDS(ON) 為 110 mΩ
  • 高速開關和低電容量
  • 100% 通過 UIL 測試
  • 根據 AEC-Q101,符合汽車認證要求
應用
  • PFC
  • OBC
  • 升壓逆變器
  • PV 充電
終端產品
  • 用於 EV/PHEV 的汽車 DC/DC 轉換器
  • 汽車的板載充電器
  • 汽車輔助馬達驅動器
 
  • 太陽能逆變器
  • 網路電源供應器
  • 伺服器電源

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - 即時供貨
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SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247NTH4L160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247498 - 即時供貨
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SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7NTBG040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7478 - 即時供貨
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SICFET N-CH 1200V 102A TO247NVH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO2471266 - 即時供貨
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更新日期: 2020-04-07
發佈日期: 2019-05-29