TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ 和 240 mΩ FET

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            TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ 和 240 mΩ FET
  
                    Transphorm 通過 JEDEC 認證的 Gen IV FET 採用 TO-247 和 PQFN 封裝。

Transphorm TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ 和 240 mΩ FET 的圖片 Transphorm 的 650 V SuperGaN™ Gen IV FET 包含兩種堅固的 JEDEC 認證元件。TP65H035G4WS 以 TO-247 封裝提供 35 mΩ 的典型導通電阻。TP65H300G4LSG 以 PQFN88 封裝提供 240 mΩ 的典型導通電阻。當與無橋圖騰柱功率因數校正 (PFC) 一起使用時，採用 SuperGaN FET 的電源系統可以達到超過 99% 的效率。優點包括：將效能指數提高約 10%；增強的湧入電流能力；由於不再需要高工作電流下的開關節點緩衝器，因此更容易進行設計。

TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs

	圖片	製造商零件編號	說明	電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	Rds On (最大值) @ Id、Vgs	Vgs(th) (最大值) @ Id	現有數量	價格	查看詳情
		TP65H035G4WS	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	46.5 A (Tc)	41 mOhm @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	691 - 即時供貨	$156.33	查看詳情
		TP65H300G4LSG-TR	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN	6.5 A (Tc)	312mOhm @ 5A、8V	2.6V @ 500µA	0 - 即時供貨	$38.53	查看詳情