Transphorm

TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET

Transphorm 的 650 V Gen IV SuperGaN 元件採用 TO-247 封裝

Transphorm 的 TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET 圖片高電壓 TP65H035G4WS 是使用 Transphorm 的 JEDEC 認證 Gen IV GaN 平台打造而成，採用標準 TO-247 封裝，提供 35 mΩ 導通電阻，方便驅動。於無橋圖騰柱 PFC 拓撲中使用時，FET 的效能和整體設計優勢可得到最大化。作為 SuperGaN 產品組合的一部分，此元件提供 4 V 閾值和 ±20 V 閘極穩健性，以及最高品質、最高可靠性 (Q+R) 的 GaN 功率半導體。

應用
  • AC/DC 轉換器
  • DC/DC 轉換器
  • DC/AC 逆變器系統

TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET

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GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3691 - 即時供貨$18.99查看詳情
發佈日期： 2022-05-26

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