TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | 離散式半導體產品

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TP65H300G4LSG-TR
DigiKey 零件編號	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - 切帶裝 (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	TP65H300G4LSG-TR
說明	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 6.5 A (Tc) 21W (Tc) 表面黏著式 3-PQFN (8x8)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TP65H300G4LSG-TR 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	Digi-Key 停止供應
FET 類型	N 通道
技術	GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	6.5 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	8V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	312mOhm @ 5A、8V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.6V @ 500µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (最大值)	±18V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	760 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	21W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	3-PQFN (8x8)
封裝／外殼	3-PowerDFN
基礎產品編號	TP65H300