Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

低電壓型功率 MOSFET

Toshiba 這款 MOSFET 具有多種電壓和封裝，適合需要更大電流的應用

Toshiba 低電壓型功率 MOSFET 的圖片Toshiba 這款低電壓型功率 MOSFET (LVMOS) 採用最新的 UMOS 製程，具有多種電壓和封裝，適合需要更大電流的應用。這些製程的著重點在於適用 12 V、24 V、48 V 和 96 V 等現代常用電壓軌的 40 V 至 150 V MOSFET。

UMOS 製程提供多種優勢，最新的 UMOS X 除了傳導和切換損耗外，還著重在閾值電壓和 +175°C 的高溫運作能力。某些產品還配備一個高速二極體，可減少切換過程中的逆向回復電荷和相關的功率損耗。

Toshiba 這款 LVMOS 產品提供多種標準封裝，包括單面和雙面 5 mm x 6 mm (稱為 SOP-Advance 和 DSOP-Advance) 以及較小的 3.3 mm x 3.3 mm TSON-Advance 封裝。

Toshiba 圖示的圖片 
特點
  • 提升效能指數 (FoM)
  • 較低的 RDS(ON)
  • 減少切換損耗與導通損耗
  • 窄的閾值電壓
  • 業界標準封裝
應用
  • 電源供應器
  • 逆變器
  • DC/DC 轉換器
  • 工業級產品
  • 12 V 至 48 V 汽車系統

100 V Low-Voltage Power MOSFETs

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40 V Low-Voltage Power MOSFETs

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60 V Low-Voltage Power MOSFETs

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80 V Low-Voltage Power MOSFETs

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Single FETs MOSFETs

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發佈日期： 2025-02-25

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