適用於 48 V 伺服器與電信應用的 3 kW 電源供應器設計
Toshiba MOSFET 的設計旨在應對現代伺服器設計帶來的挑戰
Toshiba SiC MOSFET 與低電壓 MOSFET 的設計旨在應對現代伺服器設計帶來的挑戰,例如更高的空間密度、更高溫的環境。
在此應用中,Toshiba 提供用於一次側的 650 V SiC MOSFET 和用於二次側的 80 V MOSFET。結合 SiC 肖特基能障二極體、數位隔離技術,可在半無橋 PFC 及移相全橋同步整流器拓撲結構中實現高效率。
- 3 kW AC 至 DC 轉換器
- 高效率 MOSFET 與二極體
- 數位隔離
- 輸入電壓:AC 180 V 至 264 V
- 輸出電壓:DC 50 V
- 輸出功率:3 kW
- 電路拓撲:半無橋式 PFC、移相全橋 + 同步整流、輸出 ORing 電路
- 伺服器
- 電信
- 48 V 背板
3 kW Power Supply Design
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TW027U65C,RQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T | 1934 - 即時供貨 | $326.72 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | TPM1R908QM,LQ | N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V, | 8872 - 即時供貨 | $23.57 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | TW092V65C,LQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH | 2480 - 即時供貨 | $184.25 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | TRS12V65H,LQ | DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP | 3817 - 即時供貨 | $35.88 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | TPW2900ENH,L1Q | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO | 1880 - 即時供貨 | $30.13 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | DCL540C01(T,E | DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC | 2893 - 即時供貨 | $48.28 | 查看詳情 |







