Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRSxxx65H 肖特基能障二極體

Toshiba 碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體 (SBD) 專為工業設備而設計

Toshiba TRSxxx65H 肖特基能障二極體的圖片Toshiba 用於工業設備的 TRSxxx65H 系列 SiC SBD 採用第三代 SiC SBD 晶片，將接面位障肖特基 (JBS) 結構最佳化。這些元件實現了 1.2 V (典型值) 的極低順向電壓，比上一代的 1.45 V (典型值) 低 17%。它們還改善了順向電壓和總電容性電荷之間以及順向電壓和逆電流之間的取捨考量，可降低功耗並提高設備效率。產品採用 TO-220-2L 封裝，其中五個產品採用 DFN8×8 封裝。

特點
  • 低的順向電壓：VF = 1.2 V (典型值)(IF = IF(DC))
  • 低的逆電流：TRS6E65H IR = 1.1 µA (典型值)(VR = 650 V)
  • 低的總電容性電荷：TRS6E65H QC = 17 nC (典型值)(VR = 400 V，f = 1 MHz)
應用
  • 切換式電源供應器
  • 電動車充電站
  • 光電逆變器

TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes

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發佈日期： 2024-08-23

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