Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

採用 L-TOGL™ 封裝的 AEC-Q N 通道功率 MOSFET

Toshiba 的 AEC-Q 40 V 400 A N 通道功率 MOSFET 採用 L-TOGL 封裝

採用 L-TOGL™ 封裝的 Toshiba AEC-Q N 通道功率 MOSFET 的圖片Toshiba 的 40 V N 通道功率 MOSFET XPQR3004PB 和 XPQ1R004PB 將高散熱型封裝 L-TOGL (大型電晶體外形鷗翼型引線) 與 U-MOS IX-H 晶片製程相結合，實現超低的導通電阻、高的汲極電流額定值以及高的散熱能力。

L-TOGL 封裝的尺寸與現有的 TO-220SM(W) 封裝相當，而 XPQR3004PB 則大大提高了額定電流並將導通電阻顯著地降低至 0.23 mΩ (典型值)。與尺寸相同的 TO-220SM(W) 封裝相比，L-TOGL 最佳化的封裝尺寸還有助於改善散熱特性。

結合這些特點，Toshiba 的產品提供高的電流能力和高的散熱能力，有助於提高各種汽車應用的功率密度。

特點
  • 符合 AEC-Q101
  • 低汲極源極導通電阻：
    • XPQR3004PB RDS(ON) = 0.23 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)
    • XPQ1R004PB RDS(ON) = 0.80 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)
  • 低漏電流：IDSS = 10 µA (最大值) (VDS = 40 V)
  • 增強模式：Vth = 2.0 V 至 3.0 V (VDS = 10 V，ID= 1.0 mA)
應用
  • 車輛
  • 切換式穩壓器
  • 馬達驅動器
  • DC/DC 轉換器

AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHMXPQ1R004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM4471 - 即時供貨$29.81查看詳情
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHMXPQR3004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM2940 - 即時供貨$60.19查看詳情
發佈日期： 2023-02-27

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