LM5113 半橋閘極驅動器

Texas Instruments 的 LM5113 專為在同步降壓或半橋配置中驅動高側和低側增強模式氮化鎵 (GaN) FET。此浮動高側驅動器，能夠驅動高側增強模式 GaN FET 高達 100 V。高側偏壓電壓係採用自舉技術產生，並且在 5.2 V 內部箝位，因此能防止閘極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大閘極至源極電壓額定值。LM5113 的輸入為 TTL 邏輯相容，並且可耐受輸入的電壓高達 14 V，不受 V_DD 電壓影響。LM5113 具有分離閘極輸出，提供靈活性，可獨立調整啟動和關閉的強度。

此外，LM5113 的強大流入能力，能讓閘極維持低態，在切換期間避免非預期的啟動。LM5113 可在高達數 MHz 下操作。LM5113 提供標準 10 引腳 WSON 封裝，以及 12 凸塊 DSBGA 封裝 。10 引腳 WSON 封裝內含裸焊盤，有助於功率耗散。DSBGA 封裝提供小巧的覆蓋區，並將封裝電感值降至最低。