LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET 功率級

Texas Instruments 的 LMG3410R050 和 LMG3411R050 GaN 功率級具有整合式驅動器和防護，能讓設計人員在電力電子系統中達到更高的功率密度和效率水準。此元件具有超越矽材質 MOSFET 的固有優勢，包括超低輸入和輸出電容量、零逆向復原，可將切換損耗降低多達 80%，以及低的切換節點振盪以降低 EMI。這些優勢可達到密集且高效率的拓撲結構，例如推拉式 PFC。

LMG3410R050 和 LMG3411R050 整合一系列獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠度並優化任何一種電源供應器的效能，從而為傳統的疊接式 GaN 和獨立的 GaN FET 提供一種智慧的替代方案。整合式閘極驅動可達到 100 V/ns 的切換，接近零 V_DS 的振盪，小於 100 ns 的電流限制響應可自我保護，防止意外擊穿事件，過熱保護關斷可防止熱失控，而系統介面訊號則提供自我監控功能。