LMG3410R070 氮化鎵 (GaN) 功率級

Texas Instruments 的 LMG3410R070 GaN 功率級具有整合式驅動器和防護，能讓使用者在電力電子系統中達到新的功率密度和效率水準。LMG3410R070 具有超越矽金屬氧化物半導體場效應電晶體 (MOSFET) 的固有優勢，包括超低輸入和輸出電容量、零逆向復原，可將開關損耗降低多達 80%，以及低開關節點振鈴以降低電磁干擾 (EMI)。這些優勢可達到密集且高效率的拓撲結構，包括圖騰柱功率因數校正 (PFC)。

LMG3410R070 整合一系列獨特的功能來簡化設計，最大限度地提高可靠性並優化任何電源的效能，從而為傳統的疊接式 GaN 和獨立的 GaN 場效應電晶體 (FET) 提供一種智慧的替代方案。整合式閘極驅動可達到 100 V/ns 切換，接近零 V_DS 振鈴，小於 100 ns 電流限制可自我保護，防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱失控，而系統介面訊號則提供自我監控功能。