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碳化矽 (SiC) 疊接式 JFET

ONSemi JFET 提供通孔、表面黏著兩種封裝

ONSemi SiC 疊接式 JFET 的圖片 ONSemi 高效能 SiC 疊接式 JFET 具有出色的切換速度、更低的切換損耗、更高的效率。它們具備高切換頻率，並提供超低導通電阻 (RDS(ON))，最低僅 5 mΩ，且所使用的晶片尺寸不到其他技術的一半。JFET 採用標準通孔 (包括開爾文)、表面黏著兩種封裝，具有出色的成本效益。這些元件採用獨特的疊接式結構，將高效能 SiC 快速 JFET 與經過疊接最佳化的 Si MOSFET 整合於一體。這種創新方法可以為 SiC 元件提供標準閘極驅動 (0 至 12 V)。由於晶片尺寸較小且相容於現有驅動方案，SiC 疊接式 JFET 可提供系統效能與成本結構的最佳化。

特點
  • 超低 RDS(ON)
  • 最高工作溫度：+175°C
  • 出色的逆向恢復
  • 低閘極電荷
應用
  • 電動車充電
  • 光電逆變器
  • 功率因數校正單元
  • 馬達驅動器
  • 感應加熱

Silicon Carbide (SiC) Cascode JFETs

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發佈日期： 2025-07-25

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