具有低於 10 mΩ RDS(on) 的 UF3SC SiC FET

onsemi 的 UF3SC SiC FET 在 650 V 時的 R_DS(ON) 為 7 mΩ、在 1200 V 時為 10 mΩ，達到前所未見的高效能和效率水準，可用於高功率應用。這些高效能的 SiC FET 元件採用獨特的疊接式電路配置為基礎，當中有一個常開的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，可形成常閉的 SiC FET 元件。此元件的標準閘極驅動特性可真正直接替代 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超接面元件。這些元件採用 TO-247-4L 封裝，具有超低閘極電荷和出色的逆向恢復特性，非常適合切換電感式負載及任何需要標準閘極驅動的應用。