第四代 750 V SiC FET 有助於實現新一代電源設計

採用獨特的疊接式配置，onsemi 的 UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列額定電壓為 750 V，並提供 6 mΩ 至 60 mΩ 選項。這些元件具有優異的效能指數，可以降低導通損耗並在更高的速度下提高效率，同時提升整體成本效益。切換效能和 Q_rr 獲得改善，在每一個 R_DS(on) 情況下的 E_on 和 E_off 損耗也是一樣。此外，降低了 E_oss 和 C_oss 的程度以達成低的整體損耗。這些元件可以用標準的 0 V 至 12 V 或 15 V 閘極驅動電壓安全地驅動。真正的 5 V 閾值電壓保持良好的閾值雜訊容限，並且與前幾代產品一樣，這些 SiC FET 可以在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驅動電壓下工作。它們還包括一個內建的 ESD 閘極保護箝位電路。多數元件皆符合 AEC-Q101 標準。