適合 800 V 匯流排應用的第四代 1200 V SiC FET

onsemi 的 UF4C/SC 第四代 SiC FET 系列採用獨特的疊接式配置，額定電壓為 1200 V，並提供 23 mΩ 至 70 mΩ 選項。這些元件在 1.35 mΩ cm² 的 R_DS(on) x 面積上提供出色的效能品質因數 (FoM)，R_DS(on) x E_oss 為 0.78 Ω µJ，R_DS(on) x C_oss(tr) 為 4.5 Ω pF，R_DS(on) x Q_G 為 0.9 Ω nC。它們是電動車 (EV) 車載充電器、工業電池充電器、工業電源供應器、太陽能的 DC/DC、熔接機、UPS、感應加熱應用中，主流 800 V 匯流排架構的最佳電源解決方案。
這些元件具有多種 R_DS(on) 和封裝選項，可最大化設計靈活性和成本效益。這些元件可以用標準的 0 V 至 12 V 或 15 V 閘極驅動電壓安全地驅動。真正的 5 V 閾值電壓可維持良好的閾值雜訊容限。如同前幾代產品，這些 SiC FET 可以在典型的 Si IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET 驅動電壓下運作。它們還包括一個內建的 ESD 閘極保護箝位電路。