第四代 E/EF 系列 MOSFET

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            第四代 E/EF 系列 MOSFET
  
                    Vishay 的 MOSFET 具備更低的切換損耗和導通損耗

Vishay Siliconix 的第四代 600 V E/EF 系列 MOSFET 圖片 Vishay 採用 PowerPAK 封裝技術的第四代 600 V、650 V 超接面 MOSFET 可將 Q_rr 降低 10 倍，避免橋接技術中的硬換向。它們還可以減少充電／放電時間的 C_o(ter)，實現最佳化的 ZVS 操作。低 R_DS(ON) x Qg FOM 可協助工程師提高功率密度和系統效率。

特點

第四代 E/EF 系列技術
低 FOM R_ON x Q_g
低有效電容量 (C_o(er))

減少切換損耗與導通損耗
突崩能量等級 (UIS)
Kelvin 式連接可降低閘極雜訊

應用

伺服器和電信電源供應器
切換式電源供應器 (SMPS)
功率因數校正 (PFC) 電源供應器
照明
高強度氣體放電燈 (HID)
日光燈安定器照明

工業
熔接
感應加熱
馬達驅動
電池充電器
太陽能 (PV 逆變器)

Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs

製造商零件編號	說明	電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	Rds On (最大值) @ Id、Vgs	現有數量	價格	查看詳情
SIHH085N60EF-T1GE3	EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST	30 A (Tc)	85mOhm @ 17A、10V	5635 - 即時供貨	$8.20	查看詳情
SIHH080N60E-T1-GE3	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8	32 A (Tc)	80mOhm @ 17A、10V	3838 - 即時供貨	$5.93	查看詳情
SIHH068N60E-T1-GE3	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8	34 A (Tc)	68mOhm @ 15A、10V	96 - 即時供貨	$7.73	查看詳情
SIHH070N60EF-T1GE3	MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8	36 A (Tc)	71mOhm @ 15A、10V	3000 - 即時供貨	$8.02	查看詳情
SIHR080N60E-T1-GE3	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8	51 A (Tc)	84mOhm @ 17A、10V	1990 - 即時供貨	$7.30	查看詳情