SiHR080N60E E 系列功率 MOSFET

為電信、工業和運算應用提供更高的效率和功率密度，Vishay 採用其頂部冷卻 PowerPAK^® 8 x 8LR 封裝來提供第四代的 600 V E 系列功率 MOSFET。與前一代元件相比，N 通道 SiHR080N60E 將導通電阻降低了27%，將電阻乘以閘極電荷 (功率轉換應用中使用的 600 V MOSFET 之主要效能指數 FOM) 降低了60%，同時提供更高的電流，佔用比 D²PAK 封裝的元件更小的覆蓋區。SiHR080N60E 的 10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm 頂部冷卻 PowerPAK 8 x 8LR 封裝的覆蓋區比 D²PAK 型小 50.8% ，高度降低了 66%。

由於採用頂部冷卻，這款封裝具有出色的散熱效能以及極低的接面至外殼的熱阻 (+0.25°C/W)。因此在相同的導通電阻程度下能提供比 D²PAK 高 46% 的電流 ，可顯著提高功率密度。此外，SiHR080N60E 業界相對低的導通電阻乘以閘極電荷 FOM 為 3.1 Ω*nC，可減少傳導和切換損耗，節省能源並提高大於 2 kW 的電源系統之效率。

這款 MOSFET 的低典型有效輸出電容 C_o(er) 和 C_o(tr) 為 79 pF 和 499 pF 分別提高了硬切換拓撲中的切換效能，例如功率因數校正 (PFC)、半橋和雙開關順向設計。Vishay 提供廣泛的 MOSFET 技術，支援電源轉換過程所有的階段，從高電壓輸入到為高科技設備供電所需的低電壓輸出。憑藉 SiHR080N60E 和第四代 600 V E 系列中其他的元件，這家公司正針對電源系統架構中最初兩個階段 (PFC 和後續的 DC/DC 轉換器模塊) 滿足需要提高效率和功率密度的要求。