用於 SiC/IGBT 的 UCC21750 單通道隔離式閘極驅動器

Texas Instruments 的 UCC21750 電流隔離單通道閘極驅動器是設計用於最高 2,121 V_DC 工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進的保護功能、同級最佳的動態效能和耐用性。UCC21750 具有高達 ±10 A 的峰值流出電流和流入電流。輸入側採用 SiO₂ 電容式隔離技術與輸出側進行隔離，支援高達 1.5 kV_RMS 的工作電壓、12.8 kV_PK 的突波耐受性，具有超過 40 年的隔離屏障壽命，並提供較低的零件間偏斜和大於 150 V/ns 的共模雜訊耐受性 (CMTI)。

UCC21750 具有先進的保護功能，例如快速的過電流和短路偵測、分流器電流感測支援、故障報告、主動米勒箝位，以及輸入和輸出側電源 UVLO，以最佳化 SiC 和 IGBT 的開關行為和耐用性。隔離式類比至 PWM 感測器可用來輕鬆地進行溫度和電壓感測，增加驅動器的多功能性並簡化系統設計工作、尺寸和成本。