ISO5452 隔離式 IGBT 閘極驅動器,具有高 CMTI

Texas Instruments 推出 ISO5452 2.5 A / 5 A 隔離式 IGBT,MOSFET 閘極驅動器,具有分離輸出和主動安全功能

TI 的 ISO5452 隔離式的 IGBT 閘極驅動器,具有高 CMTI 圖片Texas Instruments 的 ISO5852 是 5.7 kVRMS、強化隔離式閘極驅動器,適用於 IGBT 與 MOSFET,具有 OUTH 和 OUTL 分離輸出,提供 2.5 A 流出和 5 A 流入電流。 輸入側可由單一 2.25 V 至 5.5 V 電源操作。 輸出側能達到最小 15 V 至最大 30 V 電源範圍。兩個互補 CMOS 輸入能控制閘極驅動器的輸出狀態。 具有 76 ns 的短傳播時間,能確保精準控制輸出級。

內部去飽和 (DESAT) 故障偵測功能可辨識 IGBT 的過電流情況。 DESAT 偵測到時,靜音邏輯就會立即阻斷隔離器輸出,並且啟動軟關機程序,停用 OUTH 並且將 OUTL 拉至低位持續 2 μs。 OUTL 達 2 V 時(相對於最大負電源電位 VEE2),閘極驅動器輸出會被強制拉至 VEE2,立即將 IGBT 關閉。

發生去飽和故障時,會通過隔離屏障發送故障訊號,將輸入端的 FLT 輸出下拉,並阻斷隔離器輸入。 靜音邏輯在軟關閉時間啟動。 FLT 輸出狀態為鎖定,僅可在 RDY 在高位之後,透過 RST 輸入的低主動脈衝進行重置。

在採用雙極輸出電源供應正常操作下關斷 IGBT,則輸出會強制箝位到 VEE2。 若輸出電源供應為單極,可使用主動米勒箝位,允許米勒電流通過低阻抗路徑流出,可防止 IGBT 在高壓瞬變情況下動態導通。

兩個欠壓鎖定電路會監測輸入和輸出側的電源,控制閘極驅動器是否準備好運作。 若任一側電源不足,RDY 輸出會至低位,否則為高輸出。

ISO5852 採用 16 引腳 SOIC 封裝。 此元件的指定工作溫度範圍介於環境 -40°C 至 125°C。

特點
  • VCM 為 1500 V 時,最小 50 kV/μs 和 100 kV/μs typ 共模暫態耐受性 (CMTI)
  • 分離輸出提供 2.5 A 峰值流出與 5 A 峰值流入電流
  • 短傳播延遲時間:76 ns(典型值)、110 ns(最大值)
  • 2 A 主動米勒箝位
  • 輸出短路箝位
  • 短路時軟關閉 (STO)
  • FLT 發佈解飽和偵測訊號並透過 RST 重置時會發出故障警報

ISO5452 Isolated IGBT Gate Driver with High CMTI

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發佈日期: 2016-02-15