ISO5852S IGBT 閘極驅動器

Texas Instruments 推出 ISO5852S 高 CMTI 2.5 A / 5 A 隔離式 IGBT、MOSFET 閘極驅動器,具有分離輸出和主動安全功能

Texas Instruments 的 ISO5852S IGBT 閘極驅動器圖片Texas Instruments 的 ISO5852S 是 5.7 kVRMS、增強的隔離式閘極驅動器,可用於具有分離輸出(OUTH 和 OUTL)的 IGBT 和 MOSFET,可提供 2.5 A 流出和 5 A 流入電流。 輸入側能以單一 2.25 V 至 5.5 V 電源操作。 輸出側可接受最小 15 V 至最大 30 V 的電源範圍。兩個互補 CMOS 輸入能控制閘極驅動器的輸出狀態。 具有 76 ns 的短傳播時間,能確保精準控制輸出級。

內部去飽和 (DESAT) 故障偵測功能可辨識 IGBT 的過電流情況。 在 DESAT 偵測到異常時,靜音邏輯會立即阻斷隔離氣的輸出,並展開軟關閉程序,將 OUTH 引腳停用,並將 OUTL 引腳下拉持續 2 μs 的時間。 OUTL 達 2 V 時(相對於最大負電源電位 VEE2),閘極驅動器輸出會被強制拉至 VEE2,立即將 IGBT 關閉。

去飽和啟動後,故障訊號會傳送到隔離阻障層,讓輸入側的 FLT 輸出下拉,並阻斷隔離器輸入。 靜音邏輯會在軟關閉期間內啟動。 FLT 輸出情況會鎖定,僅在 RDY 進入高位後,透過 RST 輸入的主動低態脈衝才可重置。

當 IGBT 在雙極輸出電源下進行一般操作期間關閉時,輸出會箝制在 VEE2。 若輸出電源為單極,則可使用主動米勒箝位,讓米勒電流流入到低阻抗路徑,藉此預防 IGBT 在高壓瞬變情況下動態關閉。

閘極驅動器的操作機動性受到兩個欠壓鎖定電路控制,其會監測輸入側和輸出測電源。 若任一側的電源不足,RDY 輸出會降低,否則此輸出通常位於高位。

ISO5852S 採用 16 引腳 SOIC 封裝。 此元件的指定環境溫度範圍介於 -40°C 至 125°C。

ISO5852S IGBT Gate Drivers

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發佈日期: 2017-01-09