LMG1210 半橋 MOSFET 和 GaN FET 驅動器

Texas Instruments 的 LMG1210 是一款 200 V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應電晶體 (GaN FET) 驅動器，專為超高頻、高效率應用而設計，具有可調式失效時間、超小傳播延遲和 3.4 ns 高側／低側匹配，可最佳化系統效率。該元件具有內部 LDO，無論電源電壓如何，都可確保 5 V 的閘極驅動電壓。

為了在各種應用中達到最佳效能，LMG1210 允許設計人員選擇最佳靴帶式二極體，為高側自舉電容充電。當低側關閉時，內部開關會關閉靴帶式二極體，有效防止高側自舉過度充電，並最大限度地減少逆向復原電荷。GaN FET 上的額外寄生電容量已最小化至小於 1 pF，以減少額外的切換損耗。

LMG1210 具有兩種控制輸入模式，包括獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出由專用輸入獨立控制。在 PWM 模式下，兩個互補輸出訊號由單個輸入產生，使用者可以為每個邊緣調整 0 ns 至 20 ns 的失效時間。LMG1210 可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度範圍內工作，採用低電感值 WQFN 封裝。