ROHM Semiconductor

650 V GaN HEMT

ROHM 的 HEMT 可為伺服器、AC 配接器等各種電源供應系統提升效率和小型化

ROHM 的 650 V GaN HEMT 圖片ROHM 的 GNP1070TC-Z、GNP1150TCA-Z 650 V 氮化鎵 (GaN) HEMT 針對各種電源供應系統應用進行了最佳化。這些產品是與開發 GaN 元件的 Delta Electronics, Inc. 子公司 Ancora Semiconductors, Inc. 所共同開發。

提高電源供應器和馬達 (世界電力消耗的大宗) 的效率，已成為實現脫碳社會的一大障礙。採用 GaN、SiC 等新材料是提高電源供應器效率的關鍵。

2022 年開始量產閘極崩潰電壓為 8 V 的 150 V GaN HEMT 之後，ROHM 於 2023 年 3 月確立了控制 IC 技術，將 GaN 效能最大化。這一次，ROHM 開發出具有市場領先效能的 650 V GaN HEMT，有助於在更廣泛的電源供應系統中，實現更高的效率、更小的尺寸。

650 V GaN HEMTs

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發佈日期： 2023-05-22

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