網路研討會 – 電力系統用高電壓 GaN HEMT (EcoGaN™)

氮化鎵 (GaN) HEMT 能讓設計人員在開發新一代功率處理元件時，邁出嶄新的一步。GaN 等非矽基化合物半導體可造就更高效率、更可靠、更高頻率、更高功率及更低功耗的元件。Rohm Semiconductor 的 GaN HEMT 或 EcoGaN 系列高功率 GaNFET 採用 GaN，提供更高切換特性和更低導通電阻。

此研討會由 Rohm Semiconductor 的美國技術產品行銷經理 Kengo Ohmori 主持，針對 GaN 對緊湊型、低功耗元件的影響，以及最佳化 GaN 技術的 IC 進行討論。Ohmori 將分享 GaN 架構電源系統的未來，以及其他珍貴的見解和主題。

此網路研討會為時一小時，將於 2024 年 10 月 3 日 (四) 上午 11 點 (美中時間) 舉行。即使您無法參與直播，也請務必報名，以便我們在會議結束後向您發送影片連結。

報名網址：https://event.on24.com/wcc/r/4711337/5C98B5EC96858152A6D25439BCC44AA6?partnerref=blog