R-REF01-HB 通用半橋公版設計

RECOM 的半橋公板設計非常適合用來評估切換式電晶體

RECOM Power 的 R-REF01-HB 通用半橋公版設計圖片RECOM Power 的通用半橋公版設計可用來比較多種高功率 IGBT、第 1 和第 2 代SiC、GaN、MOSFET 和疊接式切換技術的實際壽命效能。各種電晶體類型的閘極驅動器和 PCB 佈局皆相同,因此工程師能比較切換效能,並在充分理解的情況下選擇適合應用的技術。

此公版設計含有半橋佈局,搭配全隔離式驅動器級,在高側和低側切換電晶體皆採用隔離式電源。套裝內含四組不同的 DC/DC 轉換器,可產生適合不同電晶體類型的隔離式驅動器電壓。因此工程師可自行從偏好的供應商挑選 TO247 或是 TO247-4L (凱氏連接) 封裝的切換式電晶體以便進行評估,然後使用適合的 DC/DC 轉換器配接,即可快速進行原型開發並測試應用。

此公版設計是基本建構模塊,可用來評估順向、返馳、降壓和升壓拓撲,只要結合兩個以上的單元,就可用來評估全橋和三相橋接電路。PCB 經過最佳化,適用於高達 1000 V 的高速切換、高達 10 A 的閘極驅動器電流。訊號接地與電源接地之間達到電流隔離,且板載 BNC 插槽已配接,能與外部 TTL 訊號生成器達到高速連接。由於高側和低側控制彼此區隔,此公版設計亦可用來實作非對稱工作週期、主動鉗位和移相全橋拓撲。

額外資訊:公版設計板

特點 應用
  • 半橋電壓高達 1 kV
  • TTL 相容訊號輸入
  • 單一 15 V 至 42 V 電源
  • 擊穿保護
  • 低側和高側切換的輸入分隔,可搭配不同拓撲使用

佈局

RECOM Power 的 R-REF01-HB 通用半橋公版設計佈局圖

  • IGBT、SiC 和 GaN 驅動器電路
  • 馬達控制單元
  • 一般用途逆變器
  • 不斷電系統
  • 熔接機

R-REF01-HB Universal Half-Bridge Reference Design

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發佈日期: 2018-01-09