產品重點 > 高隔離能力的 DC/DC 轉換器

IGBT、SiC 與 GaN 用的隔離式 DC/DC 轉換器

需要高達 10 kVDC 隔離能力之應用適合的 DC/DC 轉換器

RECOM 的 IGBT 應用轉換器能以單一零件方案提供 +15 V 與 -9 V 的非對稱式輸出。具有 +20 V 與 -5 V 輸出的轉換器可用於 SiC MOSFET 與第二代 SiC MOSFET，具有 +15 V 與 -3 V 輸出的轉換器也已經開發完成。針對 GaN 裝置，RECOM 亦提供 +6 V 與 +9 V 品項，可滿足 GaN HEMT 技術的需求。 RECOM 所有用於閘極驅動器的轉換器皆提供高隔離能力 (高達 6.4 kV) 並採用緊湊封裝，可耐受高切換率所施加的壓力。

IGBT
SiC
GaN
公版設計

高隔離能力 DC/DC 轉換器能延長 IGBT 驅動器的使用壽命

IGBT 控制器常用於逆變器應用。光耦合器往往會當作控制訊號的絕緣體，但在高浮動電壓的電源端仍有絕緣的需求。 RECOM 轉換器能以簡單的方式滿足高隔離能力需求，並可提供適合 IGBT 應用的閘極電壓。

特點

非對稱輸出：+15 V/-9 V
效率高達 86%
高階隔離：高達 6.4 kVDC／1 秒
工作溫度範圍高達 90°C
通過 EN 認證
三年保固

應用

變頻驅動器 (VFD)
IGBT 閘極驅動器電路
馬達控制單元
一般用途逆變器
不斷電系統
熔接機

型號	功率	V_IN	V_OUT	隔離	認證	外殼
RH-xx1509D	1 W	5、12、24	+15 V/-9 V	3 kVDC 或 4 kVDC	EN	SIP7
RP-xx1509D	1 W	5、12、24	+15 V/-9 V	5.2 kVDC	EN	SIP7
RxxP1509D	1 W	5、12、24	+15 V/-9 V	6.4 kVDC	EN	SIP7
RKZ-xx1509D	2 W	5、12、24	+15 V/-9V	3 kVDC 或 4 kVDC	EN	SIP7
RGZ-xx1509D	2 W	5、12、24	+15 V/-9V	3 kVDC 或 4 kVDC	EN	DIP14
RxxP21509D	2 W	5、12、24	+15 V/-9 V	6.4 kVDC	EN	SIP7

SiC MOSFET 用的高隔離能力非對稱輸出 DC/DC 轉換器

為了滿足 MOSFET 的嚴峻要求，RECOM 開發一系列用於 SiC MOSFET 的 DC/DC 轉換器，包括 3 kVDC、4 kVDC、5.2 kVDC 甚至是 6.4 kVDC 隔離能力，以確保隔離屏障可承受最嚴格的測試。提供多款系列，輸出電壓包括 5 V、12 V、15 V 或 24 V，並具有 +20 V 與 -5 V 的非對稱式輸出，能以高效率且有效的方式切換 SiC MOSFET。

特點

電力共享
+20/-05 VDC 或 +15/-03 VDC 非對稱輸出
效率高達 87%
高隔離能力：6.4 kVDC／1 秒
可選配連續短路保護
寬廣的工作溫度範圍：-40°C 至最高 +90°C
通過 UL60950、IEC/EN60950 認證
三年保固

應用

DC/AC 逆變器
再生能源
智慧電網
馬達驅動

型號	功率	V_IN	V_OUT	隔離	認證	外殼
RxxP21503D	2 W	15、12、24	+15/-03 VDC	5.2 kVDC	EN-60950-1 認證	SIP7
RKZ-xx2005D	2 W	5、12、15、24	+20/-05 VDC	3 kVDC 或 4 kVDC	UL60950-1 認證 CSA C22.2 No. 60950-1-07 IEC/EN60950-1 認證 EN55022	SIP7
RxxP22005D	2 W	5、12、15、24	+20/-05 VDC	5.2 kVDC	UL60950-1 認證 CSA C22.2 No. 60950-1-03 IEC/EN60950-1 認證 EN55022	SIP7

DC/DC 電源專為快速切換 GaN 驅動器所設計

RP-xx06S 與 RxxP06S 系列採用 SIP& 外殼，並提供 +6 V 輸出電壓。罐狀磁芯內部變壓器提供高達 6.4 kVDC 隔離能力，可確保隔離屏障可耐受最嚴苛的操作條件。這些轉換器提供的輸入電壓包括 5 V、12 V、15 V 或 24 V，有些機型提供 +9 V 輸出，可透過齊納二極體電路分為 +6 V 與 -3 V，以便提供負切換閘極電壓。這些轉換器亦具有低隔離電容量 (<10 pF)，並通過 IEC/EC-60950-1 認證。

特點