NCx51705 EliteSiC MOSFET 閘極驅動器

onsemi 的單一 6 A 高速驅動器可以向 EliteSiC MOSFET 元件提供最大容許的閘極電壓

onsemi 的 NCx51705 SiC MOSFET 閘極驅動器圖片onsemi 的 Ncx51705 低側、單一 6A 高速驅動器設計主要用於驅動 EliteSiC MOSFET 電晶體。為盡可能達到最低的導通損耗,此驅動器能將最大容許的閘極電壓提供給 EliteSiC MOSFET 元件。可在啟動和關閉期間提供高峰值電流,藉此將開關損耗降至最低。為提高可靠度、dv/dt 耐受性及更快的關斷速度,NCx51705 可以利用其板載充電幫浦來產生使用者可選的負電壓軌。對於隔離式應用,NCx51705 亦提供可從外部取用的 5 V 電源軌,用於為數位或高速光隔離器的二次側供電。

資源

特點
  • 高峰值輸出電流及分流輸出級
  • 延伸的正電壓額定值,最高可達 28 V
  • 使用者可調的內建負充電幫浦 (-3.3 V 至 -8 V)
  • 可取用的 5 V 參考/偏置電源軌
  • 可調式欠壓鎖定
  • 快速去飽和功能
  • QFN24 封裝 4 mm x 4 mm
 
  • 允許獨立的開/關調整
  • 導通期間的高效率 SiC MOSFET 運作
  • 快速關斷和強大的 dv/dt 耐受性
  • 最大程度降低隔離式閘極驅動應用中偏置電源的複雜性
  • 足夠的 VGS 幅度以匹配 SiC 的最佳效能
  • 自我保護設計
  • 小型、低寄生電感封裝
應用
  • 高效能變頻器
  • 大功率馬達驅動器
  • 推拉式 PFC
 
  • 工業與馬達驅動器
  • UPS 和太陽能逆變器
  • 大功率直流充電器

NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver

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更新日期: 2020-04-03
發佈日期: 2019-11-06