NCx51705 EliteSiC MOSFET 閘極驅動器
onsemi 的單一 6 A 高速驅動器可以向 EliteSiC MOSFET 元件提供最大容許的閘極電壓
onsemi 的 Ncx51705 低側、單一 6A 高速驅動器設計主要用於驅動 EliteSiC MOSFET 電晶體。為盡可能達到最低的導通損耗,此驅動器能將最大容許的閘極電壓提供給 EliteSiC MOSFET 元件。可在啟動和關閉期間提供高峰值電流,藉此將開關損耗降至最低。為提高可靠度、dv/dt 耐受性及更快的關斷速度,NCx51705 可以利用其板載充電幫浦來產生使用者可選的負電壓軌。對於隔離式應用,NCx51705 亦提供可從外部取用的 5 V 電源軌,用於為數位或高速光隔離器的二次側供電。
資源
- 技術文件: SiC MOSFET:閘極驅動優化
- 技術文件:GaN 和 SiC 電晶體之間的差異
- 視頻:在 HEV/EV 充電應用中利用能隙
- 高峰值輸出電流及分流輸出級
- 延伸的正電壓額定值,最高可達 28 V
- 使用者可調的內建負充電幫浦 (-3.3 V 至 -8 V)
- 可取用的 5 V 參考/偏置電源軌
- 可調式欠壓鎖定
- 快速去飽和功能
- QFN24 封裝 4 mm x 4 mm
- 允許獨立的開/關調整
- 導通期間的高效率 SiC MOSFET 運作
- 快速關斷和強大的 dv/dt 耐受性
- 最大程度降低隔離式閘極驅動應用中偏置電源的複雜性
- 足夠的 VGS 幅度以匹配 SiC 的最佳效能
- 自我保護設計
- 小型、低寄生電感封裝
- 高效能變頻器
- 大功率馬達驅動器
- 推拉式 PFC
- 工業與馬達驅動器
- UPS 和太陽能逆變器
- 大功率直流充電器
NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 967 - 即時供貨 | $47.09 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | NCV51705MNTWG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 5116 - 即時供貨 | $31.86 | 查看詳情 |
Other Wide Bandgap Solutions
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |
![]() | ![]() | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 0 - 即時供貨 | $144.39 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 3165 - 即時供貨 | $46.59 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1243 - 即時供貨 | $50.13 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - 即時供貨 | $24.78 | 查看詳情 |