1700 V 碳化矽 EliteSiC 二極體

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            1700 V 碳化矽 EliteSiC 二極體  
                    onsemi 的二極體具有不受溫度影響的切換特性以及優異的散熱效能

onsemi 的 1700 V 碳化矽 (SiC) 二極體圖片 onsemi 的 1700 V EliteSiC 肖特基二極體採用可提供比矽更卓越的開關效能和更高可靠性的技術。SiC 無逆向恢復電流，具有不受溫度影響的切換特性以及優異的熱效能，因此能用於新一代的功率半導體。系統優點包括高效率、更快的工作頻率、提升功率密度、降低 EMI，並且縮減系統尺寸和成本。

特點

可輕鬆並聯
高突波電流電容量
最高結溫：+175°C
無逆向恢復／無正向恢復
更高的切換頻率
低順向電壓 (V_F)
正溫度係數
通過 AEC-Q101 認證並可提供 PPAP 報告

應用

汽車 HEV-EV DC/DC 轉換器
汽車 HEV-EV 車載充電器
工業電源
PFC
太陽能
UPS
熔接

1700 V EliteSiC Diodes

	圖片	製造商零件編號	說明	現有數量	價格	查看詳情
		NDSH25170A	DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472	0 - 即時供貨	$144.39	查看詳情

製造商零件編號	說明	現有數量	價格	查看詳情
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FFSD08120A	DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA	3165 - 即時供貨	$46.59	查看詳情
NCD57001DWR2G	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC	1243 - 即時供貨	$50.13	查看詳情
FFSB0665B	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263	627 - 即時供貨	$24.78	查看詳情
NCP51705MNTXG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	967 - 即時供貨	$47.09	查看詳情