高效能 N 通道 MOSFET

Nexperia 提供先進的 TrenchMOS 技術,以提高可靠性和效能

Nexperia PSMN047-100NSE/PSMN071-100NSE 先進的 N 通道 ASFET 的圖片這些 Nexperia 高效能 N 通道 MOSFET 是專為各種應用的高效電源管理而設計。這些 MOSFET 採用 TrenchMOS 技術提供卓越的效能和可靠性。它們採用緊湊型 LFPAK56 和 LFPAK88 封裝,非常適合空間受限的設計。這些 MOSFET 具有高峰值汲極電流、低 RDS(ON)、高接面工作溫度等特點,適合多種應用,包括同步整流、DC/DC 轉換器、馬達控制、電源管理系統。PSMN 系列提供邏輯位準和標準位準閘極驅動選項,為不同的設計要求提供靈活性。這些 MOSFET 還可耐受 +175°C 的溫度,確保在嚴苛的環境下達到穩健的效能。

特點
  • N 通道 ASFET
  • 最大 100 V 的汲源極電壓
  • 低 RDS(ON) 為 53 (PSMN047-100NSE)
  • 低 RDS(ON) 為 82 (PSMN071-100NSE)
  • 增強型 SOA
  • 小巧的 DFN2020 封裝
  • 比 LFPAK33 封裝小 60%
  • 低 I2R 的傳導損耗
  • 非常低的 IDSS 漏電流
  • 高功率 PoE 功能 (60 W 及更高)
  • 容錯負載開關
  • 高效率的湧入電流管理能力
  • 適合電子式保險絲應用
  • 可靠的繼電器替代品
  • 强大的熱管理能力
應用
  • PoE 系統
  • IEEE802.3at 和自行研發的 PoE 解決方案
  • 湧入電流管理能力
  • 電子式保險絲應用
  • 電池管理系統
  • 繼電器替代品
  • Wi-Fi® 熱點
  • 5G 超微細基地台
  • CCTV 系統
  • 高功率型負載開關
  • 工業自動化
  • 電信設備
  • 資料中心
  • 網路基礎設施
  • 消費性電子

Single FETs, MOSFETs

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FET, MOSFET Arrays

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更新日期: 2025-04-08
發佈日期: 2025-01-21