碳化矽 (SiC) 超快速切換式 MOSFET - LSIC1MO 系列

Littelfuse 提供增強型 N 通道 SiC MOSFET,LSIC1MO 系列

Littelfuse 的碳化矽 (SiC) 超快速切換式 MOSFET - LSIC1MO 系列的圖片來自 IXYS:Littelfuse 技術子公司的 SiC MOSFET 為傳統的、基於矽的功率電晶體元件提供了一款卓越的替代方案。與有類似額定值的 IGBT 相比,MOSFET 元件結構可實現更低的每週期切換損耗並提高輕度負載的效率。既有的材料特性使 SiC MOSFET 在阻斷電壓、特定導通電阻和接面電容量方面優於其對應的 Si MOSFET。此首款 SiC MOSFET 採用耐用設計,可因應更多種高溫應用。更高的切換頻率可實現更小的被動式濾波器組件;較低的元件損耗可實現更小的散熱片。綜合起來,這些特點可以提高系統效率和功率密度。這些元件以單位電壓/電流額定值而言具有更小的晶片尺寸,因此非常適合馬達驅動控制、電源轉換系統、太陽能變頻器和其他應用。

資源

特點
  • 高溫操作
  • 高阻斷電壓和低特定導通電阻 (SiC 材料特性)
  • 超快切換速度
  • 更低的切換損耗
應用
  • 電源轉換系統
  • 太陽能變頻器
  • 切換式電源供應器
  • UPS 系統
  • 馬達驅動
  • 高電壓 DC/DC 轉換器
  • 電池充電器

Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFETs - LSIC1MO Series

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發佈日期: 2021-06-25