碳化矽 (SiC) 超快速切換式 MOSFET - LSIC1MO120E0080

Littelfuse 推出增強模式 SiC MOSFET:1200 V、N 通道 LSIC1MO120E 系列

Littelfuse 的 LSIC1MO120E0080 系列碳化矽 (SiC) 超快速切換式 MOSFET 圖片Littelfuse 的 LSIC1MO120E0080 系列 SiC MOSFET 兼具低導通電阻和超低切換損耗,這是傳統 1200 V 等級功率電晶體無法達到的。此首款 SiC MOSFET 採用耐用設計,可因應更多種高溫應用。更小的散熱片和更高的功率密度,可達到更高的效率和更小的被動濾波器,並且提高功率密度,可達到更高的切換頻率。此元件在其電壓/電流額定值下具有較小的晶粒尺寸。

SiC MOSFET 現況:元件的演進、技術優勢和商業潛力

特點
  • 超快切換速度
  • 更低的切換損耗
  • 高溫操作
  • 高阻斷電壓和低特定導通電阻 (SiC 材料特性)
應用
  • 電源轉換系統
  • 太陽能逆變器
  • 切換式電源供應器
  • UPS 系統
  • 馬達驅動
  • 高電壓 DC/DC 轉換器
  • 電池充電器

Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET

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發佈日期: 2018-01-05