SiC 功率 MOSFET 和二極體閘極驅動評估板套件

Littelfuse 旗下的 IXYS 閘極驅動器評估板可分析 SiC 設計在系統層級的影響

SiC 功率 MOSFET 和二極體閘極驅動評估板套件的圖片Littelfuse 旗下的 IXYS 已開發出用於碳化矽 MOSFET 和二極體的閘極驅動器評估板。該 GDEV 系統包含一片主機板,可以在其上插入閘極驅動器模組板,讓使用者分析與 SiC 設計相關的系統層級影響。具有在定義明確和最佳化的測試條件下比較不同閘極驅動器半橋配置解決方案效能的能力。此外,GDEV 亦提供在連續工作條件下的測試用閘極驅動電路,以評估閘極驅動器的熱效能和 EMI 耐受性。

資源

特點
  • 評估 SiC 功率 MOSFET 和二極體在額定電壓和額定電流下的連續運作狀況
  • 在定義明確和最佳化的測試條件下,比較不同閘極驅動器解決方案的效能。
  • 在連續工作條件下測試閘極驅動電路,以評估閘極驅動器的熱效能和 EMI 耐受性
  • 分析 SiC 設計中的系統級影響
    • 效率提升
    • EMI 輻射
    • 被動元件 (尺寸、成本和重量)

SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit

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EVAL BOARD FOR SIC DIODESLF-SIC-EVB-GDEV1EVAL BOARD FOR SIC DIODES0 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情

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發佈日期: 2019-12-17