MCB60I1200TZ-TUB IXYS | 離散式半導體產品

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產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	IXYS
系列	-
包裝	管裝
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	1200 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	90 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	20V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	34mOhm @ 50A、20V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 15mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	160 nC @ 20 V
Vgs (最大值)	+20V、-5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2790 pF @ 1000 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	-
工作溫度	-40°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	TO-268AA (D3Pak-HV)
封裝／外殼	TO-268-3、D3PAK (2 引線 + 接片)、TO-268AA
基礎產品編號	MCB60I1200