CoolSiC™ G2 1200 V 碳化矽 MOSFET 離散元件

Infineon 碳化矽 (SiC) CoolSiC MOSFET 採用最先進的溝槽式半導體製程，經過最佳化，可實現應用的最低損耗、運作的最高可靠性。離散式 CoolSiC MOSFET 產品組合提供 650 V、750 V、1,200 V、1,700 V、2,000 V 等級，導通電阻額定值為 7 mΩ 至 1,000 mΩ。CoolSiC 溝槽式技術支援靈活的參數集，可在對應的產品組合中實作特定於應用的功能，例如閘極源極電壓、突崩規格、短路能力或適用於硬換向的內部本體二極體。

離散式 CoolSiC 1,200 V G2 MOSFET 目前提供三種不同的封裝，全面承襲第一代技術的優勢，並在此基礎上大幅提升，提供先進的解決方案來實現更具成本效益、更高效率、更緊湊、設計更簡單、更可靠的系統。第二代大幅提高了硬切換、軟切換拓撲的關鍵效能指數，適用於 AC/DC、DC/DC、DC/AC 級的所有常見組合。

提供兩種 TO-247 四引腳封裝款式 (標準 TO-247 四引腳封裝與 TO-247 四引腳 HC 封裝)，以供客戶根據設計需求選購。TO-247 四引腳封裝具備加長沿面距離、纖細訊號引線、開爾文引腳設計，可防止形成錫橋，並擁有最佳化的熱介面材料 (TIM) 區域，以提升散熱效能。標準 TO-247-4 封裝可與市面上大多數封裝產品的引腳相容。 亦提供採用 TO-263-7 (D²PAK-7L) 封裝的元件，適合高功率應用，專為低導通電阻、高速切換的 MOSFET 而設計。TO-263-7 封裝提供小於 7 mm 的沿面距離與間隙，有助於在 PCB 設計中降低隔離設計的難度。

頂部冷卻式 Q-DPAK 開創了冷卻、能效、設計靈活性、效能的新時代，專為廣泛的工業應用而設計。Q-DPAK 封裝的 CoolSiC MOSFET G2 元件具備優異的散熱效能，可簡化組裝流程，進而協助客戶降低系統成本。與底部冷卻解決方案相比，頂部冷卻元件可實現更佳的 PCB 佈局，從而減少寄生元件和雜散電感的影響，同時還提供增強的熱管理能力。Q-DPAK 封裝可用於雙半橋和單開關 MOSFET。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 公版設計由兩個 PCB 組成，其中包含驅動器電路、用於伺服馬達和驅動器的三相逆變器。優點包括高功率密度、無需冷卻風扇的被動冷卻，以及 PCB 直徑僅為 110 mm 的超小覆蓋區。按一下此處即可存取 Infineon 專屬的公版設計資料庫。