N 通道 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) 通孔式 PG-TO247-4-17
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N 通道 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) 通孔式 PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R053M2HXKSA1

DigiKey 零件編號
448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
製造商
製造商零件編號
IMZC120R053M2HXKSA1
說明
SICFET N-CH 1200V 38A TO247
製造商的標準前置時間
45 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) 通孔式 PG-TO247-4-17
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
IMZC120R053M2HXKSA1 型號
產品屬性
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類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
53mOhm @ 13A、18V
製造商
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.1V @ 4.1mA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30 nC @ 18 V
包裝
管裝
Vgs (最大值)
+23V、-7V
零件狀態
有源
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1010 pF @ 800 V
FET 類型
功率耗散 (最大值)
182W (Tc)
技術
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200 V
安裝類型
通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
供應商元件封裝
PG-TO247-4-17
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
15V、18V
封裝/外殼
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
現貨: 362
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皆以 HKD 計價
管裝
數量 單價 總價
1$83.53000$83.53
30$49.19733$1,475.92
120$41.66108$4,999.33
510$36.14220$18,432.52
1,020$35.33706$36,043.80
製造商標準包裝
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